主要性能參數(shù)
生長方法
提拉法
晶體結構
單晶/多晶
純度
> 99.9999%
熱膨脹系數(shù)
6.1(10-6, ℃-1)
密 度
5.33g/cm3
熔點
937.4℃
晶向
<111>
ETV
≤0.05mm
電阻率
5-40 Ohm-cm(根據(jù)客戶需要可以提供更低電阻率的鍺)
導電類型
N-type
楊氏模量(Gpa)
103
包裝
100級潔凈袋，1000級超凈室
