InP單晶基片
InP單晶材料作為最重要的化合物半導體材料之一,是生產光通訊中InP基激光二極管（LD），發光二極管（LED）和光探測器等的關鍵材料，這些器件實現了光纖通信中信息的發射、傳播、放大、接受等功能。InP也非常適用于高頻器件，如高電子遷移率晶體管（HEMT）和異質結雙極晶體管（HBT）等方面由于其本身具有的優越特性,使其在光纖通信、微波、毫米波、抗輻射太陽能電池、異質結晶體管等許多高技術領域有廣泛的應用. InP單晶材料的主要生長方法，包括傳統液封直拉技術（LEC）、改進的LEC技術、氣壓控制直拉技術（VCZ/PC－LEC）/垂直梯度凝固技術（VGF）/垂直布里奇曼技術（VB）等。
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晶體 |
結構 |
晶向 |
熔點
oC |
密度
g/cm3 |
禁帶寬度 |
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InP |
立方,
a=5.869 A |
<100> |
1600 |
4.79 |
1.344 |
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主要性能參數
單晶
摻雜
導電
類型
載流子濃度
cm-3
遷移率(cm2/V.s)
位錯密度(cm-2)
標準基片
InP
本征
N
(0.4-2)*1016
(3.5-4)*103
5*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
S
N
(0.8-3)*1018
(4-6)*1018
(2.0-2.4*103
(1.3-1.6*103
3*104
2*103
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
Zn
P
(0.6-2)*1018
70-90
2*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
Fe
N
107-108
³2000
3*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
尺寸（mm）
Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測報告
拋光
單面或雙面
包裝
100級潔凈袋，1000級超凈室