GaSb單晶基片
GaSb單晶由于其晶格常數與帶系在 0.8~4.3um寬光譜范圍內的各種三元和四元，III-V族化合物固熔體的晶格常數匹配，因為GaSb可以作為襯底材料用作制備適合某些紅外光纖傳輸的激光器和探測器，GaSb也被預見具有晶格限制遷移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潛在的應用前景。GaS單晶材料的主要生長方法，包括傳統液封直拉技術（LEC）、改進的LEC技術、移動加熱法/垂直梯度凝固技術（VGF）/垂直布里奇曼技術（VBG）等。
晶體
結構
晶向
熔點
oC
密度
g/cm3
禁帶寬度
GaSb
立方
a=6.094A
<100>
712
5.53
0.67
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主要性能參數 | |||||||
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單晶 |
摻雜 |
導電類型 |
載流子濃度
cm-3 |
遷移率(cm2/V.s) |
位錯密度(cm-2) |
標準基片 | |
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GaSb |
本征 |
P |
(1-2)*1017 |
600-700 |
《1*104 |
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm | |
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GaSb |
Zn |
P |
(5-100)*1017 |
200-500 |
《1*104
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Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm | |
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GaSb |
Te |
N |
(1-20)´1017 |
2000－3500 |
《1*104 |
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm | |
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尺寸（mm） |
Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底 | ||||||
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表面粗糙度 |
Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測報告 | ||||||
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拋光 |
單面或雙面 | ||||||
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包裝 |
100級潔凈袋，1000級超凈室 | ||||||