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主要性能參數 | |
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生長方法 |
籽晶升華法 ,PVT（物理氣相傳輸） |
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晶體結構 |
六方 |
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晶格常數 |
a=3.08 Å c=15.08 Å |
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密度 |
3.21 g/cm3 |
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方向 |
生長軸或 偏<0001> 3.5 º |
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帶隙 |
3.26 eV (間接) |
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硬度 |
9.2（mohs） |
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熱傳導@300K |
5 W/ cm.k |
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介電常數 |
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 |
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尺寸 |
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
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Dia2",Di3",Dia4" | |
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厚度 |
0.35mm， |
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拋光 |
單面或雙面 |
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晶向 |
<0001>±0.5º |
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晶面定向精度: |
±0.5° |
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邊緣定向精度: |
2°（特殊要求可達1°以內） |
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斜切晶片 |
可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片 |
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Ra: |
≤5Å（5µm×5µm） |
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包裝 |
100級潔凈袋，1000級超凈室 |