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主要性能參數 | |
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生長方法 |
弧熔法 |
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晶體結構 |
立方 |
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晶格常數 |
a=4.130 Å |
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熔點（℃） |
2800 |
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純度 |
99.95% |
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密度（g/cm3） |
3.58 |
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硬度 |
5.5（mohs） |
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熱膨脹系數（/℃） |
11.2x10-6 |
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晶體解理面 |
<100> |
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光學透過 |
>90%（200~400nm），>98%（500~1000nm） |
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介電常數 |
ε= 9.65 |
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熱導率（卡／度 厘米 秒） |
0.14 300°K |
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尺寸 |
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
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dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm | |
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厚度 |
0.5mm，1.0mm |
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拋光 |
單面或雙面 |
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晶向 |
<001>±0.5º |
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晶面定向精度: |
±0.5° |
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邊緣定向精度: |
2°（特殊要求可達1°以內） |
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斜切晶片 |
可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片 |
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Ra: |
≤5Å（5µm×5µm） |
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主要特點 |
由于MgO單晶在微波波段的介電常數和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2英吋及更大），所以是當前產業化的重要高溫超導薄膜單晶基片之一。 |
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主要用途 |
用于制作磁學薄膜、半導體薄膜、光學薄膜和高溫超導薄膜等,也可用于制作移動通訊設備所需的高溫超導微波濾波器等器件。 |
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包裝 |
100級潔凈袋，1000級超凈室 |