主要性能參數(shù) | |
生長(zhǎng)方法 | 弧熔法 |
晶體結(jié)構(gòu) | 立方 |
晶格常數(shù) | a=4.130 Å |
熔點(diǎn)（℃） | 2800 |
純度 | 99.95% |
密度（g/cm3） | 3.58 |
硬度 | 5.5（mohs） |
熱膨脹系數(shù)（/℃） | 11.2x10-6 |
晶體解理面 | <100> |
光學(xué)透過(guò) | >90%（200~400nm），>98%（500~1000nm） |
介電常數(shù) | ε= 9.65 |
熱導(dǎo)率（卡／度 厘米 秒） | 0.14 300°K |
尺寸 | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm | |
厚度 | 0.5mm，1.0mm |
拋光 | 單面或雙面 |
晶向 | <001>±0.5º |
晶面定向精度: | ±0.5° |
邊緣定向精度: | 2°（特殊要求可達(dá)1°以內(nèi)） |
斜切晶片 | 可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片 |
Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） |
主要特點(diǎn) | 由于MgO單晶在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2英吋及更大），所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。 |
主要用途 | 用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等,也可用于制作移動(dòng)通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。 |
包裝 | 100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室 |